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Arbeiten am schnelleren Datentransfer

Wo die Technik immer leistungsfähiger wird, müssen auch Daten immer schneller fließen. Mitarbeitern des Forschungszentrums ist es nun gelungen, einen neuen Laser zu entwickeln, der schnellere Datenübertragung zulässt.

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Foto: Recklessstudios/Pixabay
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Transistoren – das sind quasi kleine Schalter die Informationen weitergeben – in Computerchips arbeiten elektrisch, doch übermitteln lassen sich die Daten schneller mit Licht. Schon lange suchen Forscher daher nach einem Weg, einen Laser direkt in Siliziumchips zu integrieren. Das teilte das Forschungszentrum mit. Wissenschaftler des Forschungszentrums Jülich seien dabei nun einen Schritt weitergekommen. Gemeinsam mit Forschern des “Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies” in Paris und dem französischen Unternehmen “STMicroelectronics” sowie “CEA-LETI Grenoble” haben sie einen kompatiblen Halbleiterlaser aus Germanium und Zinn entwickelt, der von der Effizienz her bereits mit herkömmlichen GaAs Halbleiterlasern vergleichbar ist.

Die optische Datenübertragung ermögliche deutlich höhere Datenraten und Reichweiten als gängige elektronische Verfahren, und benötige gleichzeitig weniger Energie. In Rechen- und Datenzentren seien optische Leitungen daher bereits ab einer Länge von etwa einem Meter Standard. Für die Zukunft seien optische Lösungen aufgrund der stetig steigenden Anforderungen für immer kürzere Strecken gefragt, um Daten von Board zu Board oder Chip zu Chip zu übertragen. Dies betreffe insbesondere auf Systeme der künstlichen Intelligenz zu. Diese werden beispielsweise für autonomes Fahren, wo große Datenmengen innerhalb eines großen Netzwerks mit Sensoren transferiert werden müssen, eingesetzt.

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„Was vorrangig fehlt, ist ein kostengünstiger Laser, der für das Erreichen sehr hoher Datenraten notwendig ist. Ideal wäre ein elektrisch gepumpter Laser, der mit der Silizium-basierten CMOS-Technologie kompatibel ist“, erklärt Prof. Detlev Grützmacher, Direktor am Peter Grünberg Institut des Forschungszentrums Jülich. „Einen solchen Laser könnte man dann einfach direkt bei der Chip-Fertigung ausformen, denn die gesamte Chip-Produktion beruht letztlich auf dieser Technologie.“

Das Problem: Reines Silizium ist ein sogenannter indirekter Halbleiter und durch diese Eigenschaft als Lasermaterial ungeeignet. Für den Bau von Lasern werden daher aktuell andere Materialien verwendet. In der Regel kommen sogenannte “III-V-Verbindungshalbleiter” zum Einsatz. „Deren Kristallgitter ist jedoch völlig anders aufgebaut als das von Silizium, das in die vierte Hauptgruppe des Periodensystems gehört. Laser-Bausteine werden daher bis jetzt extern produziert und müssen dann nachträglich kostspielig angebunden werden“, erläutert Detlev Grützmacher.

Der neue Laser ist dagegen direkt im Zuge des CMOS-Prozesses herstellbar. Er basiert auf Germanium, das wie Silizium aus der vierten Hauptgruppe stammt. Bereits 2015 hatten Jülicher Forscher den Nachweis erbracht, dass sich durch die Beimischung von Zinn Laserlicht erzeugen lässt. Entscheidend ist dabei der hohe Zinngehalt, damals betrug er über acht Prozent, weit über der Löslichkeitsgrenze von einem Prozent.

„Reines Germanium ist wie Silizium von Natur aus ein indirekter Halbleiter. Erst die hohe Zinnkonzentration sorgt dafür, dass daraus ein direkter Halbleiter für eine Laserquelle wird“, erklärt Dr. Dan Buca, Arbeitsgruppenleiter am Peter Grünberg Institut (PGI-9).

Das patentierte Jülicher Verfahren wird mittlerweile von mehreren Forschungsgruppen auf der ganzen Welt genutzt. Durch eine weitere Erhöhung der Zinnkonzentration konnten bereits Laser realisiert werden, die nicht nur bei tiefen Temperaturen, sondern auch bei Raumtemperatur funktionieren.

„Ein hoher Zinngehalt mindert allerdings die Effizienz. Der Laser benötigt dann eine recht hohe Pumpleistung. Bei 12 bis 14 Prozent Zinn sind 100 bis 300 kW/cm2 notwendig“, erklärt Nils von den Driesch. „Wir haben daher versucht, die Zinnkonzentration zu reduzieren, indem wir das Material zusätzlich verspannen, wodurch sich die optischen Eigenschaften noch deutlich verbessern lassen.“

Für den neuen Laser haben die Forscher den Zinngehalt auf rund fünf Prozent heruntergeschraubt – und die benötigte Pumpleistung auf 0,8 kW/cm2 reduziert. Dabei entstehe so wenig Abwärme, dass sich der Laser als erster Gruppe-IV-Halbleiterlaser nicht nur gepulst, sondern auch kontinuierlich im sogenannten Dauerstrich betreiben lässt.

„Diese Werte demonstrieren, dass ein Germanium-Zinn-Laser technologisch machbar ist, der von der Effizienz her dem Niveau gängiger III-V-Halbleiterlaser entspricht. Damit scheint jetzt auch ein Laser für die industrielle Anwendung in Reichweite, der bei Raumtemperatur funktioniert“, erklärt Institutsdirektor Detlev Grützmacher. Denn die Funktion des neuen Lasers ist momentan noch auf optische Anregung und tiefe Temperaturen im Bereich von -200 bis  -170 Grad Celsius beschränkt.

Ein solcher Laser wäre nicht nur für die optische Übertragung von Daten, sondern auch für vielfältige andere Anwendungen interessant. Denn für die entsprechenden Wellenlängen im nahen Infrarotbereich zwischen zwei und vier Mikrometern gibt es bis jetzt kaum kostengünstige Alternativen. Potenzielle Anwendungen reichen von Infrarot- und Nachtsicht-Systemen bis hin zu Gassensoren für die Infrarot-Spektroskopie zur Überwachung von Umwelt- und Atemgasen in der Klimaforschung und Medizin. So eine Pressemitteilung des Forschungszentrums.


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